光刻硅片临界应用材料公司推出光刻空间成像技术Aera2 for Lithography系统

应用材料公司推出光刻空间成像技术Aera2 for Lithography系统

时间:2011年11月21日
近日,应用材料(Applied Materials)公司宣布推出 Aera2 for Lithography 系统。半导体制造商通过运用该系统的 IntenCD 技术可以提升硅片的临界尺寸一致性(CDU)超过20%,增加器件的良率并降低每片硅 3D IC明后年增温封装大厂已积极布署蜂窝网络解决方案ST-NXP Wireless开始量产3G/UMA芯片平台系列电流信道易亨电子推出双信道通用串行端口保护IC三星柏克莱视觉3D视频或造成视力损害日本新力台湾日面板厂合并 台厂下一步怎么走?nxt 2 medit控制时不时报通信错误触摸屏多点系统创众科技推陈出新 红外多点触摸屏新品发布电压发电机永磁汽车电源系统新方案:42V电源系统手机市场产品平板LG:做智能手机市场的追赶者
近日,应用材料(Applied Materials)公司宣布推出 Aera2 for Lithography 系统。半导体制造商通过运用该系统的 IntenCD 技术可以提升硅片的临界尺寸一致性(CDU)超过20%,增加器件的良率并降低每片硅片的图形曝光成本。此外,Aera2 for Lithography系统可以延长光掩膜的寿命并提高整个光刻区域的生产力。

这项新光刻应用的关键是Aera2平台的IntenCD技术,它能够将整个光掩膜生成高精度、高清晰的临界尺寸均匀性空间图像。用IntenCD图像代替基于硅片的测量结果,做出判断的时间可以从两天缩短到仅仅一个小时。并且由于消除了多次硅片处理步骤可能带来的累积误差,结果的准确性也得到了提高。更准确的均匀性数据使得先进的光刻扫描机可以对临界尺寸的变化作出补偿,大大提高硅片生产中的线宽精度,最终提高产品良率。


使用IntenCD技术定期检查光掩膜可以大大延长其寿命,这是相当重要的优点,特别是考虑到现在单个关键器件工艺层光掩膜的价值可能超过10万美元。光掩膜的属性在多次累积曝光以后会发生巨大的和非均匀的变化,雾状缺陷生成和镀膜退化引起临界尺寸误差。生产主管可以用预知计划取代传统的定期光掩膜修复,Aera2系统可以缩短光掩膜修复周期,提高其寿命和可用性。


为了优化光刻周期,业界领先的Applied Tetra Reticle Clean光掩膜清洁系统也可以被使用到光刻区域中,这样光掩膜就不必送到工厂外面去修复了。Aera2和Tetra Reticle Clean系统是应用材料公司强劲的已被验证的光刻解决方案中的最新产品,它们将帮助客户实现成本经济的下一代器件的光刻应用。

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