三星纳米市场五大趋势 2011年DRAM市场走低

五大趋势 2011年DRAM市场走低

时间:2011年11月21日
2011年DRAM市场将会是什么景况?以下是投资银行BarclaysCapital分析师C.J.Muse收集产业界各方消息所归纳出的五项发展趋势: 1.DRAM市场走下坡 Muse表示,2011年NAND市场前景不错,但DRAM市场可能 期权港元计划中芯国际授出4622万股期权芯片三星英特尔联手ARM 新岸线造“芯”第二条路重要性美国半导体2007年全球IC产业销售额增长将超过10%次级电流功耗飞兆半导体PSR/SSR混合PWM控制器为便携设备充电器大唐电信董事长中芯国际管理阶层异动 江上舟任董事长电流安培调光Catalyst针对大功率LED照明推出线性恒流LED驱动器CAT4101华为销售收入业务华为发布2010年年报 去年净利238亿(图)批评新闻线索邮箱凌特推出带同步600mA降压转换器的双输入锂离子电池充电器三星苹果订单苹果Q3欲卷土重来 PCB供应商降价回馈

2011年DRAM市场将会是什么景况?以下是投资银行BarclaysCapital分析师C.J.Muse收集产业界各方消息所归纳出的五项发展趋势:

1.DRAM市场走下坡

Muse表示,2011年NAND市场前景不错,但DRAM市场可能相反;主要是因为平板电脑开始蚕食低阶笔记本电脑与迷你笔电(netbook)市场,在这种情况下,原本较小尺寸笔记本电脑所搭载的DRAM量,平均每台约2GB,却被代换成平板电脑每台仅256Mb、也就是只有1/8的平均搭载量,意味着DRAM将供应过剩。

2.转向3x纳米制程

整体看来,所有的DRAM供货商都开始转向3x纳米制程,包括三星(Samsung)与海力士(Hynix);日本尔必达(Elpida)也在试图从65或6x纳米直接跳到3x纳米,期望能因此大幅缩减成本。

3.韩厂双强独大

DRAM市场不同于NAND市场仍存在众多一线厂商,已开始呈现韩国两大厂商独霸的状况,目前仅有三星与海力士能称为DRAM市场的一线供货商(以技术水准与获利表现来看),美光(Micron)、南亚科(Nanya)、华亚(Inotera)则是二线厂商(财务状况与技术水准稍逊),至于尔必达、力晶(powerchip)、瑞晶(Rexchip)则排第三线(技术水准与财务状况都有很大的进步空间)。

三星是DRAM市场最受关注的焦点,目前该公司也垄断了30纳米制程DRAM生产所必需的NXT微影工具订单;今年度,三星最成功之处在于提高了DRAM市场占有率,估计2010年全球DRAM市场成长率在45~50%之间,该公司的DRAM业务成长率可高达70%。

紧追于三星之后的另一家一线厂商海力士,目前唯一的问题是负债与管理阶层,而这些状况可望在2011年获得解决;海力士在中国无锡厂生产4x纳米与3x纳米的DRAM,在其产品架构于明年由8F2转进6F2之后,可望取得更进一步成长动力。

4.美光阵营面临艰困时刻

美光(Micron)在2009年曾有一度可名列一线厂商,但其前景取决于沟槽式制程转换至堆栈式制程的顺利与否;虽然该公司在2010年初曾出现订单量大增,但良率表现不太令人满意,整年度的位成长率表现也不佳。

由于制程转换不顺,美光的合作伙伴南亚科与华亚的50纳米制程良率问题也未解决,因此美光要转进40纳米与30纳米,恐怕会很艰难;但Muse预期,明年也许会有一些转机。

5.尔必达的豪赌

尔必达目前正尽全力想成为领导级厂商,在日本与台湾两地积极募资;此外在技术部分,该公司开发出65纳米微缩制程65纳米XS,抢在DRAM价格仍不错的时候多赚一些利润;同时也试图跃进40纳米与30纳米制程。

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