本体电路器件IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性

IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性

时间:2011年11月21日
MOSFET系列,新器件具备快速本体二极管特性,专为零电压开关 (ZVS) 电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率,并能提高功率输出,适用于当今效率和 三星全球业者2010年Top 20半导体厂商排行激烈竞争批评新闻线索邮箱NI首款24位输入/输出PXI模块计算所半导体中科院意法半导体获龙芯2E产销权 详情今日公布浪涌元器件晶闸管意法半导体内置浪涌保护的全新交流电源开关达到IEC 61000-4-5国际标准的浪涌保护功能今天上班遇到一問題,就是CP642 MARK相繼裡面的燈泡全壞掉了驾驶人系统车辆宝马汽车自动驾驶技术准备就绪公司佛山技术日海通讯拟携手加拿大公司进军光电领域电视机电视中国黑白CRT到彩色数字高清液晶电视的蜕变节点芯片技术22nm节点制程带来的思索
MOSFET系列,新器件具备快速本体二极管特性,专为零电压开关 (ZVS) 电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率,并能提高功率输出,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。

最新L系列HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性,因此无需在ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管,减少了元件数目,节省了电路空间。

新器件有别于采用硬开关器件的桥式或功率因数修正电路,其内置本体二极管常处于活跃状态,并可承载工作周期中部分电流,加强了系统可靠性。当内置本体二极管处于通态时启动MOSFET,实质上便可消除ZVS电源设计导通损耗。

L系列器件内的本体二极管之最大逆向恢复时间少于250ns,在电流更低的器件中时间更短。较短的逆向恢复周期确保内置本体二极管可在工作关断过程中发挥效益,在引入高压前从导通状态彻底恢复至阻断状态。

严国富先生称:"大部分情况下,全新L系列MOSFET均提供更高的雪崩额定值以及经改良的栅-源电荷及栅-漏电荷比,既可降低击穿情况,亦能简化驱动电路。"

这些具有快速本体二极管的全新600V HEXFET功率MOSFET现已投入供应。数据表详载于IR网站www.irf.com。基本规格如下:
(编辑 雁子)
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