产品存储器宇宙射线Everspin科技推出16Mb MRAM

Everspin科技推出16Mb MRAM

时间:2011年11月21日
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁产品厂商Everspin科技公司5月14日推出16Mb MRAM。现在,所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术 集成电路我国软件解读国务院鼓励软件和集成电路产业发展六措施王志东:新浪之殇隔离器模式系列芯科ISOpro系列上市 推出首个6通道隔离器固态硬盘闪存SSD固态硬盘现状分析汽车电阻功率IR推出适用于汽车的DirectFET2 功率 MOSFET英特尔纳米大连英特尔大连新工厂采用65纳米制程技术无源协议半导体Vishay 新增代理商以满足市场需求的快速增长技术产品半导体封装业:加快与制造融合 中高端市场看好功耗电流系列Microchip推出最新16位超低功耗PIC®单片机
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁产品厂商Everspin科技公司5月14日推出16Mb MRAM。现在,所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。

  Everspin科技公司首席运营官Saied Tehrani表示:“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合,以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图,我们将不断提高MRAM产品的容量,并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。”

  MR4A16B 是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM,其超快的存取周期仅为35ns,并允许无限制的读/写循环。在每次写入后,资料能持续保存超过20年。此外,与其它存储器不同,MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款16Mb MRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。

  MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。

  16Mb MRAM系列包括商业级(0°C至+70 °C)和工业级(-40°C至+85 °C)两种温度范围。现已可提供样品,并预计于2010年7月开始量产。
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