无源半导体工艺安森美半导体推出IPD2工艺技术

安森美半导体推出IPD2工艺技术

时间:2011年11月21日
安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ™硅铜(copper on silicon) IPD技术,第二层的铜层厚度仅为5微米(μm),增强了电感性能 转换器噪声芯片美国国家半导体推出业界最快的12位模拟/数字转换器控制器芯片数据引领CPU自加密新时代,英飞凌安全控制器通过德国认证行业半导体经济段定夫:经济低迷正是汰弱留强的最佳时期阿里巴巴杭州中国马云:从顽皮少年到商界大侠大连大连市集成电路打造全球软件外包和IC制造基地套件功率需求TI数字DC/DC LED开发套件带来智能高精度实时数字控制日圆聚酯日本三菱投资240亿日圆在中国建立聚酯薄膜制造厂集成电路能量电子学国外研制出几乎不耗能源的集成电路演示数据中心性能LSI使用6Gb/s SAS技术演示100万次IOPS性能

安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ™硅铜(copper on silicon) IPD技术,第二层的铜层厚度仅为5微米(μm),增强了电感性能,提高了灵活性,配合设计高精度、高性价比的集成无源元件,用于便携电子设备中的射频(RF)系统级封装应用。

HighQ™ IPD2工艺是安森美半导体定制代工部众多创新制造服务之一,采用先进的8英寸晶圆技术,典型设计包括平衡/不平衡转换器(balun)、低通滤波器、带通滤波器和双工器,用于最新便携和无线应用。基于IPD2的设计为电路设计人员提供重要优势,如降低成本、减小厚度、小占位面积,以及更高性能(等同于延长电池使用时间)。

安森美半导体为其IPD2工艺技术提供全功能设计工具和设计支援,以及快速的原型制造能力,帮助潜在用户快速和高性价比地评估,不管他们复杂度较低的分立或集成印制电路板(PCB)方案、较厚也较昂贵的陶瓷方案,还是基于更昂贵的砷化镓金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否适合转换至IPD2工艺。

安森美半导体定制代工部高级总监Rick Whitcomb说:“在高性价比、小尺寸和低插入损耗的平台上集成无源器件,能为电池供电便携电子产品设计人员提供极有用的方案。我们以全套设计工具和技术配合这新工艺,能够帮助客户以最短的时间和最大的信心,从效用相对较低的技术转换至我们的IPD2工艺。”

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