闪存科技序列常忆科技推出全球第一颗256Kbit序列闪存产品

常忆科技推出全球第一颗256Kbit序列闪存产品

时间:2011年11月21日
台湾新竹,常忆科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一颗256Kbit序列闪存产品─PM25LD256C。 市场上既有的序列闪存厂商之技术,由于在小容量产品上已无法有效降低diesize及成本,因此序列 电脑产业市场TCL杨伟强:寻找“黄金分割点”2010全球光伏安装量17.5GW 2011预计20.5GW批评新闻线索邮箱EPSON推出灵敏度达-160dBm的手机用单片GPS模块机器人中医脉象中医诊疗机器人或突破 可检测人体脉象电源年增长率领域Marijana Vukicevic:全球数字电源芯片市场增长提速台湾省股权典礼张忠谋:暂无与中芯国际合作打算无源光学光子OneChip Photonics推出集成电路的EPON收发器交换机以太网计算机Force10 40 GbE 以太网线路卡获IBM认证珠海软件企业珠海软件与集成电路设计产业链熠熠生辉

台湾新竹,常忆科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一颗256Kbit序列闪存产品─PM25LD256C。

市场上既有的序列闪存厂商之技术,由于在小容量产品上已无法有效降低diesize及成本,因此序列闪存产品在业界之最小容量一般只做到512Kbit,惟常忆科技以pFlash的专利设计才能有效降低512Kbit以下容量的Flashdiesize,故决定推出该项业界独有之产品。

常忆科技256Kbit序列闪存产品的主要应用市场,是在需要极小容量程序代码或数据存储的运用方面,如NB/PCcam、游戏机、服务器、数字机上盒、数字电视等等原本使用EEPROM32Kbit~256Kbit之应用。在不增加现有接脚数,且能提供极佳读写速度,擦写次数,低耗电量及长期数据保存年限,并帮助系统厂商降低原本较昂贵的EEPROM成本最高可达60%,常忆科技256Kbit序列闪存产品是最合适的选择。

藉由PMOSband-to-band-tunnel(BTBT)专利的制程结构,0.18umpFlash在-40度C至105度C可确保在经过20万次擦写后仍可保存资料长达20年。相较同业普遍使用的其它技术,diesize面积约可缩小百分之40,并降低使用功率以及静态电流,故常忆科技之序列闪存在过去十年持续提高出货量及市占率,质量表现在2010全年累计为0.4ppm,更为闪存创下业界品质之标竿。

常忆科技已于今年四月推出PM25LD256C样品后,于七月正式量产。相关产品说明请至常忆科技网站查询。

以下为PM25LD256C产品之主要功能说明:

功能

容量:256Kbit;符合SerialPeripheralInterface基本协议架构

抹除单位:4K-byteor32K-byte

写入单位:256-byteperpage

工作电压范围:2.7-3.6V

符合工业级温度范围-40~105’C

性能表现

读取性能表现:Max100MHzforfastread

写入性能表现(时间):Typical2msperpageprogram

抹除性能表现(时间):Sector/Block/ChipMax7ms

耗电表现:Typical1mAactivereadcurrent,Typical10mAprogram/erasecurrent

擦写次数:Min200,000cycles

资料保存年限:Min20years

&nb

sp;封装

业界标准之8pinSOIC,TSSOP,USON,KGD

符合RoHS的无铅封装

关于常忆科技:

常忆科技,成立于1995年,为拥有P-channel闪存技术的先锋并拥有超过六十个设计、组件及技术专利的专业IC设计厂商。常忆科技以pFlash为商标,设计并销售NORflash产品以应用于个人计算机、电子消费、网络及无线通讯相关组件,并为低容量NORflash主要供货商之一。常忆科技也以pFusion为商标,使用其PMOS非挥发性内存的专利,提供合作晶圆厂嵌入式闪存及嵌入式非挥发性内存解决方案,并授权其制造各种不同的微控制器及IC卡。

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